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半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
三极管工作状态有三种,放大、饱和、截止。其中又以放大状态复杂,主要用于小信号的放大领域,常用的三极管放大电路形式有:共发射极放大电路,共集电极放大电路,共基极放大电路三种,其中共集电路用于电流放大(功率放大),共基电路用于高频放大,共射电路用于低频放大。
三极管放大电路包含静态参数和动态参数两大类,静态参数又称静态工作点,是保障三极管正常工作的基础,意义是在输入条件为零时,晶体管的基极电流Ib,集电极电流Ic,be极之间的电压Ubc,管压降Uceq。当有输入信号时,晶体管呈现的输入电阻Ri,输出电阻Ro,电压增益Au等参数被称为动态参数。另外还有一类参数被称为放大电路频率特性参数,主要包括放大电路的低频端截止频率,高频端截止频率,通频带,增益平坦度,幅(度)频(率)特性曲线等。